IEC 62368-1 耐电压测试方法？

huiai · 发表于 2022-4-1 11:46

我司产品如下图：

机构测试耐电压3000V（L、N极短路与USB输出或Type-C输出之间），出现光耦击穿，测试不合格。

请教各位大神，机构这样测试是否正确？

另外线路板供应商提出的测试方法：是需要将USB与Type-C短路作为一极，LN短路作为一极，进行耐电压测试？

那种方法正确？标准IEC 62368-1 5.4.9条款也没有明确说明。

请各位大神帮忙释疑，谢谢！

huiai · 发表于 2022-4-2 08:14

大神在哪里？

af204 · 发表于 2022-4-2 08:45

方法应该没问题，都是把电源的LN短接作为一极，输出作为另一极

huiai · 发表于 2022-4-2 08:49

本帖最后由 huiai 于 2022-4-2 08:50 编辑

af204 发表于 2022-4-2 08:45- o$ I1 M- j3 R' z% o3 F3 M7 b; N
方法应该没问题，都是把电源的LN短接作为一极，输出作为另一极

恩，是这样的。但是有两个输出口USB和Type-c ，这两个口是短路作为一极，还是单独一个输出口作为一极呢？

45550629 · 发表于 2022-4-2 09:17

huiai 发表于 2022-4-2 08:49
6 B; @% t9 N# g, C恩，是这样的。但是有两个输出口USB和Type-c ，这两个口是短路作为一极，还是单独一个输出口作为一极呢？

两个端口都需要打的，如果样品本身不行，打哪里都是会击穿的

huiai · 发表于 2022-4-2 10:06

45550629 发表于 2022-4-2 09:17
c# Q- |. T% A+ N7 s7 W两个端口都需要打的，如果样品本身不行，打哪里都是会击穿的

两个输出口短路作为一极，测试是可以通过的。但是，单独对一个输出口，打3000V高压，就会出现击穿。

rocknan · 发表于 2022-4-6 08:23

本帖最后由 rocknan 于 2022-4-6 08:24 编辑

方法大致上沒錯
1, L/N to secondary (打 Double/ Reinforced )
L跟N捆一起(做為一級) 打到 Secondary(2次側, ELV側, SELV側)
Secondary 可以所有I/O port捆一起打, 也可以一個一個 I/O port 打
打 Secondary I/O port 的時候, 如果I/O port 的GND pin 會造成絕緣降為 Basic
哪就要把 GND pin 挑出來不要一起打 (這個很重要)
好彼說: USB2.0 port 有4pins (pin1: 5Vdc, pin2,3: data pins, pin4: GND),
很多人都會4個pin捆在一起當 Secondary 一起打
但是 pin4: GND 可能是跟一次側的 Earth 有連接, 導致 pin4: GND 對 L/N 是 Basic
那把 4個pin 捆在一起時, 等於是把 pin4: GND (Basic), 拿來試驗Double/ Reinforced的電壓
要注意
2, L/N to plastic enclosure.
.
還有, 如果 3000Vac 打不過, 可以打4242Vdc 看看
有時候 AC電壓打不過, 但是DC電壓打得過
(那是零件特性問題)

huiai · 发表于 2022-4-6 14:10

rocknan 发表于 2022-4-6 08:23" S( `, R7 |! Z4 s k8 ?
方法大致上沒錯
' ]. _8 H2 I3 j: ]1, L/N to secondary (打 Double/ Reinforced )
e* O9 n# Z P& ^ L跟N捆一起(做為一級) 打到 Secondary ...

OK , 谢谢您！

Berryang · 发表于 2022-4-6 20:11

点赞 Rocknan
不过从图上看，这个产品非CLASS 1 设备。 pin 4(GND) 没有可靠及低阻抗连接至 Earth. 故3KVac or DC 不能PASS ，还是应判NG。

rocknan · 发表于 2022-4-7 13:00

Berryang 发表于 2022-4-6 20:116 E. u4 x' v& O2 O
点赞 Rocknan
2 c7 A. Y% G/ j9 \3 R4 f! q, h不过从图上看，这个产品非CLASS 1 设备。 pin 4(GND) 没有可靠及低阻抗连接至 Earth. 故3 ...

對阿, 如果該注意的有注意到, 測試方法也沒錯, 那該是NG 就是NG , 哈~

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