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1.MB芯片定义与特点9 N! e! [3 Q6 J9 M; x
0 O' G. z2 C4 f6 u/ c6 P
定义﹕$ j6 S3 z& u) L+ O P# G& V
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品6 n1 G3 O& C' l0 s8 h2 K' p
- j) ], b$ w' Z" c, H' j F
特点﹕5 O9 d2 r o1 h- ^
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易. 6 W: i, j1 i6 p7 k, r
* d- s- j5 v& \: j7 E
Thermal Conductivity; C9 `% Y' ^' j' m* G0 v' t
GaAs: 46 W/m-K
0 }9 h O6 r4 `' G; {GaP: 77 W/m-K2 b; M0 I. R6 u" q* B2 Y
Si: 125 ~ 150 W/m-K3 I, t7 n* s# Y
Cupper:300~400 W/m-k
+ A: k; u6 T' v! ~/ O) [& C0 qSiC: 490 W/m-K* t) Y t( T& S
+ J9 \) O4 U6 X) ^4 B8 I) x7 \ 2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收.2 {; J- l: Y; z4 z0 K9 n
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍),更适应于高驱动电流领域。
/ D9 ]8 j# |8 c, l% c/ D 4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
% V3 B/ u5 z$ A# |% B. ]1 ` c) ? 5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB) k; k! k, R2 {$ |
9 T8 q8 M+ B" v, [0 z* w$ M9 V1 X
2.GB芯片定义和特点
$ s+ D( O/ N# M5 c ]8 l |$ I
$ Y! k* f6 z8 }1 t3 ?+ a! E) i% \定义﹕
$ N' P( ` O1 i, T GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品# {; ]8 o. y' V6 e6 m
特点﹕( S- @0 m/ x1 N* g9 \9 n
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.3 O& ^" X! X4 Z, ~& u
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图7 M' y n0 C$ J7 Q; ]
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)9 d ?+ C1 o, e' K5 }" l) g& I
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
7 b* O/ Z- d) h. K2 e- l
8 z& r2 f p9 ^% y0 t3.TS芯片定义和特点- D5 N6 [ R! v- f
* u4 V& A* n# d( W5 a2 X定义﹕1 d% x6 o6 s- O6 w; x
TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。8 S6 i; T: G: l0 k- L
2 H3 P6 }. a6 t* c( E特点﹕& \1 @; h( B# F C0 }
1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED9 O- x) O; X+ K" l) n( O$ L+ s
2. 信赖性卓越/ W1 }% M; E: |) z
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高6 ?7 P% m) G( ]0 z- e a
4.应用广泛
! Y, H3 B. F, F% B0 C0 t& E: y6 w$ n+ S7 `/ Q3 _3 F5 i' ?) Z
4.AS芯片定义与特点
2 \* L6 l2 b0 h7 Z- c( S1 [! D% u4 d7 r9 \6 H- ]3 D
定义﹕
1 {0 o; B$ c4 x+ h8 p; |7 v' l AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
+ y8 M$ B& s) g7 i5 L" Q 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等9 ]# S- O! D, {% G+ C
0 K1 @$ W- I0 l1 ^
特点﹕+ H' Q" ?6 ^7 X5 _& ^
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮6 Z$ H2 i2 R$ x4 e2 I( t" J1 \
2. 信赖性优良: O& e' D4 ~% F/ R: r6 E- t2 f
3. 应用广泛; ]% Q. [1 S2 R' N3 w7 a6 W; ]
& l% P6 m3 K( Y" l
发光二极管芯片材料磊晶种类
3 s" d9 C; Y' a
, j2 d' o# ~2 O( p1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP5 q5 T% J- O7 H4 n- C
1 o7 q- i$ n& \1 X' m2 o
2 、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
4 m" P& W9 P; p, \: j, B3 q* q5 ~7 T
3 、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN7 t* ~, G, _6 G
% Z6 [: t0 l; I( q% K2 q1 Z4 、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs+ n* ^/ r) n# a" W7 y V0 ^1 ^& I
8 r H5 B- `' k- V+ W, ?
5 、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAs) V. x& l! n1 ~: Q. T8 Q2 U& Z
5 U7 o/ t9 {& D3 P" m" u7 N- F
6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs |
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