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目录：
8 n0 r5 U+ z* R/ |1 N& L- u, B# o* [, ^* a& h
先进可靠性分析导论
6 U$ L4 \, |3 y, \ ┃) N- L# T/ n$ k) i
┣第一部分 概述' Q, x. d. X1 v; W$ L0 L8 f) M( }
┃┃
7 _' Y" M3 F( B0 S ┃┣1.可靠性工作的目的, [$ ^- `( B! s: t- w
┃┣2.可靠性工作的理论基础
( c' @/ G; v1 X; A6 y ┃┣3.可靠性工作的核心途径
, i3 s q8 S. [. q0 y ┃┣4.可靠性分析的入手点
/ [3 c6 \' t2 N( Y& z* w) D ┃┣5.研究失效问题的工具2 l% r7 G" q2 X6 w* [, i$ x) I
┃┗6.可靠性数据( F9 t. Q6 E: J) T' \: P; r7 g
┃, D1 P+ I4 r# [; H
┗第二部分- Q2 t; `, e, P, \1 z
┃
9 I( b/ Y4 G0 a8 z ┣第一讲：失效分析概论
/ A1 Q2 u8 _# l ┃┃2 }. f r- c: W, |8 k5 i
┃┣1.基本概念
4 X4 X% x: [5 [4 u8 x7 A ┃┣2.失效分析的定义和作用+ W" T$ m9 n/ x D' h" {
┃┣3.失效模式5 d% j; Q$ ]" `+ {
┃┣4.失效机理$ e, Q; f) Z5 @/ P4 a9 D
┃┗5.一些标准对失效分析的要求
5 i- y4 u) S( D, ~8 ] ┃' M" N% m1 O9 K3 }) H3 u8 D
┣第二讲：分析技术及设备
2 j3 K# L0 g+ ?' u# W ┃┃8 r7 h) Z V4 u' n
┃┣1.失效分析程序: e( @% X0 O, a# ^. z
┃┣2.非破坏性分析技术7 e6 |7 `/ ^: a( f3 b/ t
┃┣3.半破坏性分析技术* f+ {$ f- X+ F: u; b2 a3 o
┃┣4.破坏性分析技术5 l2 X! l7 O0 b5 V
┃┗5.分析技术与设备清单
0 R* a0 y4 ^9 E9 s$ q. X. ]9 ? ┃
2 }: h* ~- q x+ r# `- T ┗第三讲：失效分析典型案例
9 I! F ~4 `1 @& P/ Z% ` ┃8 G9 }* U! M# W2 c, ]: W8 L
┣电路设计缺陷引起的失效
2 R! g/ Q- X: ?' d; D' ] ┣CMOS IC闩锁效应失效* ]2 Y$ b$ |, a" ?+ S+ t
┣ESD—静电放电损伤失效7 L% g7 S. ~% D1 ^+ h, {7 ^* {. x
┣过电损伤失效3 f0 }$ \$ P8 K3 R4 X1 w
┣电腐蚀失效
# j( Q5 m- ? `5 T ┣污染6 g9 }; u3 G! H- \. F [ o
┣机械应力损伤失效
, \2 t, w. i; E1 R ┣热结构缺陷引起过热失效
& M/ K7 S( p& [ z+ w0 O+ t ?1 D ┣材料缺陷案例8 L, p$ R V( B- [- Y3 l
┣工艺缺陷案例7 V. u, {) b! T4 e( E! K
┣寿命失效: H1 Z9 }9 @0 I
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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