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目录：, g+ h$ z7 S) o5 N
$ P& X$ m% f5 ~* {6 g先进可靠性分析导论
: U+ l* y5 |0 [; g) E2 A ┃" n | h4 V: M. j. t
┣第一部分 概述: _6 Z! p/ `* ^& \0 E/ S
┃┃: V* f5 s; Q" v: \5 s) m& z
┃┣1.可靠性工作的目的: R5 j# v6 l) k0 k1 r, t0 z+ |$ G
┃┣2.可靠性工作的理论基础) j6 P5 ^) B! C% r5 U% k
┃┣3.可靠性工作的核心途径
6 i) E& i' N' P& O0 J ┃┣4.可靠性分析的入手点
* P* Q: W& ^, D8 J ┃┣5.研究失效问题的工具- _: ~ A4 R. w, D2 \
┃┗6.可靠性数据 S( I) [. l7 c" x r
┃8 W( g1 n$ T) {+ I5 f
┗第二部分
; W- _' H- Q" T3 T& b4 t8 p5 r ┃* p3 n/ t0 ]: x$ d. u
┣第一讲：失效分析概论& q! k a! j& b2 B- \
┃┃) Q3 u+ s( q& p$ q
┃┣1.基本概念. z+ ~8 I, h$ v8 J- r8 @7 i1 C
┃┣2.失效分析的定义和作用
; |# E" U% P- N5 p* o ┃┣3.失效模式
8 Z' s" Z- X" Q: @6 ` ┃┣4.失效机理
; S: U) a2 m& c- Q9 W# ]9 s ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
9 @2 e5 H* E/ Z4 J2 b8 L ┃
0 r& X. P3 y( C# _7 l( v$ q6 C ┣第二讲：分析技术及设备# q( a9 ]; R }# D
┃┃
" }4 s% a {. t7 K7 A; l3 v! D ┃┣1.失效分析程序) z* b# ]% m; f7 y; A6 c, z/ }- s. u
┃┣2.非破坏性分析技术3 M& h9 y8 c% L0 d
┃┣3.半破坏性分析技术- d" l3 f. q$ W) ~- G: \/ `( ]
┃┣4.破坏性分析技术3 U I; c6 }) S2 L" j a( z
┃┗5.分析技术与设备清单% z' Q5 N1 \2 v8 z) G4 Y
┃# L. y1 q6 u8 P; [ N8 T
┗第三讲：失效分析典型案例
% o1 A4 T: n5 }9 |$ y ┃' ^2 E: K! K9 B6 n
┣电路设计缺陷引起的失效# Q0 {0 n r1 g7 ~- v" G* g
┣CMOS IC闩锁效应失效
& G, [7 j4 Q, j, o* q ┣ESD—静电放电损伤失效
4 o- Z0 e8 q, }4 W7 @ ┣过电损伤失效' _- u- L/ T: I
┣电腐蚀失效' i* h; T( H+ U/ r6 X# m
┣污染" \) a2 ]" B. r9 {, T& t6 u. u8 @
┣机械应力损伤失效3 A- V; ~, e# k
┣热结构缺陷引起过热失效6 i0 D+ J) K4 _# l5 F
┣材料缺陷案例
4 X8 E- u4 @! v! O3 Q- f* M ┣工艺缺陷案例. H/ p+ v0 {+ B' L* m# U) x6 R
┣寿命失效3 Q" t- s( q" {
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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