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目录：
0 b% S% D1 o5 V3 t+ `2 `8 O; }" a/ ]: B# H# ^* l
先进可靠性分析导论
. ~2 I4 r! ^, G6 [ W& E) j O w ┃
U$ H4 P# L' u' f& p ┣第一部分 概述- K: Z9 `9 ~: S$ j
┃┃3 X7 q6 q) G7 s& i2 L5 Q
┃┣1.可靠性工作的目的
2 g) ]! O' P& p2 X' C ┃┣2.可靠性工作的理论基础% c- |, s) Z# D2 \! f
┃┣3.可靠性工作的核心途径
# y% B0 E$ O- T$ ]2 W ┃┣4.可靠性分析的入手点
p% E0 m3 u" V7 u9 A0 a( Q ┃┣5.研究失效问题的工具
1 r5 v# R( _. _7 c+ K+ v" X ┃┗6.可靠性数据
' h" A+ b2 F7 n1 W- k ┃, t9 X0 l8 ?* r2 F# ?
┗第二部分
" ^2 S; }" L2 u! }' @6 @ W ┃" r0 E2 C" C2 X
┣第一讲：失效分析概论
. y) t! n8 t; q ┃┃& T, V" G( n; o5 N: a
┃┣1.基本概念
; |) a" b$ K" r ┃┣2.失效分析的定义和作用
7 a0 p4 b* n: w) z$ N7 C/ Y ┃┣3.失效模式( R( O1 j0 ~3 Z0 d
┃┣4.失效机理
( e& [# X" |- u0 H3 N R7 G) x% d; h ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
! K% Q: K3 L5 t6 D3 { S+ ~5 Z3 s ┃
+ n% r, H G% o1 k- ? @ ┣第二讲：分析技术及设备 E) p# m/ ~' m! h0 a6 j. z( q
┃┃! L% b9 g( ?7 O+ J7 j$ ]
┃┣1.失效分析程序) A' C ~3 Y5 c0 a9 v+ R) B5 j
┃┣2.非破坏性分析技术' i+ q" z- h* `! O8 M; ~' `; K
┃┣3.半破坏性分析技术
" r4 H. O% `- C# _ ┃┣4.破坏性分析技术7 J' w9 l* L4 I; M( G
┃┗5.分析技术与设备清单5 {7 e3 _1 \4 ~% C# c+ W4 F/ Q1 b
┃, B) e b1 u$ B1 T% s
┗第三讲：失效分析典型案例2 {9 X2 E8 Q0 `# B
┃/ T0 q8 ^9 `2 o y t: O8 H x; a
┣电路设计缺陷引起的失效
% v4 o/ M3 ?1 |8 q: _% Z" Y9 M ┣CMOS IC闩锁效应失效
: M8 u3 `$ ^1 O/ \ ┣ESD—静电放电损伤失效
4 [9 T( h+ S+ y' V( k ┣过电损伤失效
6 B; l) \* \2 O ?$ J7 m ┣电腐蚀失效
# h' V# x+ U3 V( ~; x ┣污染) a; Y+ } V5 g' ?. a$ X) G! a( X
┣机械应力损伤失效; o0 Y" E9 M! u- v/ P8 q1 |
┣热结构缺陷引起过热失效
: W5 A/ t' J. g1 B ┣材料缺陷案例9 A" C, n5 S- v
┣工艺缺陷案例: v7 t/ a4 ?) M! m+ @
┣寿命失效
- s7 A, d1 L8 Q7 j! {( [ ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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