连接器上的各种电磁干扰

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连接器上的各种电磁干扰

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射频干扰源
9 k7 `( [$ L$ T8 s! D# B　　
1 U* r) N1 j9 J. y4 Q　　当今，电子系统的时钟频率为几百兆赫，所用脉冲的前后沿在亚纳秒范围。网络接口传输数据速率为１００Ｍbit/s和１５５与６２２Mbit/s（ＡＴＭ－异步传输模）。高质量视频电路也用以亚纳秒级的象素速率。这些较高的处理速度表示了工程上受到不断的挑战。
　　
　　这样的挑战之一是射频（ＲＦ）干扰，这是由于电磁能量的快速变化引起的。电路上振荡速率变得更快（上升／下降时间），电压／电流幅度变得更大，问题变得更多。因此，今天同以前相比，解决电磁兼容性（ＥＭＣ）就更艰难了。
　　
　　在电路的两个波节之前，快速变化的脉冲电流，表示了所谓差模噪声源，电路周围的电磁场可以耦合到其它元件上和侵入连接部分。经感性或容性耦合的噪声是共模干扰。射频干扰电流是彼此相同的，系统可以建模为：由噪声源、“受害电路”或“接受者”和回路（通常是底板）组成。用几个因素来描述干扰的大小：
　　●噪声源的强度
　　●干扰电流环绕面积的大小
　　●变化速率
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　　于是，尽管在电路中有很可能产生不希望的干扰，噪声几乎总是共模型的。一旦在输入／输出（Ｉ／Ｏ）连接器和机壳或地平面之间接入电缆，有某些ＲＦ电压出现时，导致几毫安的ＲＦ电流就能足以超过允许的发射电平。
% S, H  A. j( ?# |! q噪声的耦合和传播
　　
5 e; X7 S, x, I, O　　共模噪声是由于不合理的设计产生的。有些典型的原因是不同线对中个别导线的长度不同，或到电源平面或机壳的距离不同。另一个原因是元件的缺陷，如磁感应线圈与变压器，电容器与有源器件（例如应用特殊的集成电路（ＡＳＩＣ））。
- Z/ L- g6 M( p. k  N( [　　
　　磁性元件，特别是所谓“铁芯扼流圈”型贮能电感器，是用在电源变换器之中的，总是产生电磁场。磁路中的气隙相当于串联电路中的一个大电阻，那儿要消耗较多的电能。于是，铁芯扼流圈，绕制在铁氧体棒上，在棒周围产生强的电磁场，在电极附近有最强的场强。在使用回描结构的开关电源中，变压器上必定有一个空隙，其间有很强的磁场。在其中保持磁场最合适的元件是螺旋管，使电磁场沿管芯长度方向分布。这就是在高频工作的磁性元件优选螺旋结构的原因之一。
" t' e6 h5 |* X　　
　　不恰当的去耦电路通常也变成干扰源。如果电路要求大的脉冲电流，以及局部去耦时不能保证小电容或十分高的内阻需要，则由电源回路产生的电压就下降。这相当于纹波，或者相当于终端间的电压快速变化。由于封装的杂散电容，干扰能耦合到其它电路中去，引起共模问题。
　　
% m! S+ t3 V) _" [( c  P　　当共模电流污染Ｉ／Ｏ接口电路时，该问题必须解决在通过连接器之前。不同的应用，建议用不同的方法来解决这个问题。在视频电路中，那儿Ｉ／Ｏ信号是单端的，且公用同一共同回路，要解决它，用小型ＬＣ滤波器滤掉噪声。在低频串联接口网络中，有些杂散电容就足够将噪声分流到底板上。差分驱动的接口，如以太，通常是通过变压器耦合到Ｉ／Ｏ区域，是在变压器一侧或两侧的中心抽头提供耦合的。这些中心抽头经高压电容器与底板相连，将共模噪声分流到底板上，以使信号不发生失真。
" i4 z+ y: u8 U9 q( e, v5 K2 {在Ｉ／Ｏ区域内的共模噪声
, M/ ?# C; Z+ c, `　　
　　没有一个通用办法来解决所有类型的Ｉ／Ｏ接口的问题。设计师们的主要目标是将电路设计好，而常常忽略了一些视为简单的细节。一些基本法则能使噪声在到达连接器以前，降至最小：
　　１）将去耦电容设置在紧挨负载处。
0 l. k+ q3 L+ p+ v% S% p　　２）快速变化的前后沿的脉冲电流，其环路尺寸应最小。
! k$ ]$ v- A9 [! k　　３）使大电流器件（即驱动器和ＡＳＩＣ）远离Ｉ／Ｏ端口。
, U# L8 G% ~" L% c( {( c/ g' J" O( Z3 U　　４）测定信号的完整性，以保证过冲和下冲最小，特别是对于大电流的关键性信号（如时钟，总线）。
" m' `  t1 k) M$ P$ W2 L. o$ o3 F% T　　５）使用局部滤波，如ＲＦ铁氧体，可吸收ＲＦ干扰。
　　６）提供低阻抗搭接到底板上或在Ｉ／Ｏ区域的基准在底板上。
  m0 @# ?, K8 h3 Y  q射频噪声和连接器
　　
　　即使工程师采取许多上述所列的预防措施，来减小在Ｉ／Ｏ区内的ＲＦ噪声，还不能保证这些预防措施能否成功地足够满足发射要求。有些噪声是传导干扰，即在内部电路板上按共模电流流动。这个干扰源是在底板和电路等之间。于是，这个ＲＦ电流一定通过最低阻抗（在底板和载信号线之间）的通路流动。如果连接器没呈现足够低的阻抗（与底板的搭接处），这ＲＦ电流经杂散电容流动。当这ＲＦ电流流过电缆时，不可避免地产生发射（图１Ａ）。
　　使共模电流注入到Ｉ／Ｏ区的另一机理，是附近有强的干扰源的耦合。甚至有些“屏蔽”连接器也无用，因为干扰源就在连接器附近，如ＰＣ机环境。如果在连接器和底板之间有一个缺口，此处所感应的ＲＦ电压可以使ＥＭＣ性能下降（图１Ｂ）。
　　屏蔽连接器方法有，加指形簧片或垫片。连接器的搭接，是在连接器和机壳之间填满空处。这个方法要求有一个衬垫（图２Ａ）。金属衬垫较好，只要处理合适，也就是说，只要表面不被污染，只要手不触及或损坏衬垫以及只要有足够的压力，以保持好的、低阻抗的接触。
7 q0 C/ T% }5 C- M　　
1 K& Y1 v) r5 \% X  W. ^# f- l　　别的方法是连接器装接头片或者把连接器安装在机壳上。此时，最大接触面稍微小些，且应严格控制接头片的尺寸和弹性。安装屏蔽连接器时，在机壳上开口，开口的一侧要去掉油污（图２Ｂ），要仔细制作，若公差不合适，导致连接器在机壳内陷入太深，使搭接中断。每位ＥＭＣ工程师知道，在“极好”的系统当中，这个问题一定要满足发射要求，并在生产线及时检查。未紧固的或弯曲的衬垫，安装于关键区域（如安装连接器的开口）的油污上，将失效。
# J1 i- g, U0 K# ~- @7 y　　由于下述原因选用了ＥＭＩ连接器；
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$ H0 G7 _' ^0 T　　１）导电发泡塑料是极其柔软的，且能放在连接器的整个周围。这就消除了与另一机壳、衬垫有关的问题。
　　２）机械工程师可以在系统机壳可接收的公差范围内安装连接器。
3 j  \7 L( Z# T) [　　３）连接器与机壳实现低阻抗搭接，以保证良好接触。机壳壁内侧上的衬垫，当要涂漆有遮蔽要求时，可以用更柔软的材料。
, h$ K! }6 K9 W7 h　　４）要求强迫冷却的设计，衬垫最好有另一特点：连接器和机壳壁之间的缝应密封起来，以减少气漏。在有尘埃的环境中，衬垫要起到系统内保持干净。
结论
　　
　　当前市场上有各种各样的连接器，能使设计师为特殊接口，获得最佳设计.