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可靠性问题的提出是与电子工业迅速发展的以下三个特点分不开的:
V5 j% ~5 N2 j8 n( P(1)电子产品(设备)的复杂程度在不断增长
B) {) O1 {# K* ] }0 W, t) O4 [9 T( b3 v电子产品复杂程度的重要标志是所需元件的数量越来越多。例如美国轰炸机上的无线电设备的情况是:1921年前飞机上还没有无线电设备,1940年飞机上的电子设备只有一千多个,1950年B—47飞机上的电子设备发展到2万多个,1955年B—52飞机上达5万多个,1960年B—58飞机上发展到9万多个。 : H0 M2 r' b& @: y/ Y
目前,一般制导系统上仅计算机部分就有10万多个元件;一般反导弹系统仅雷达部分就有几十万个元件,整个系统元器件达几百万个。 z# p* }% J+ m8 V0 X
一般说来,电子设备所用的元器件数量越多,其可靠性问题就越严重,对于串联系统来说,其设备可靠度为所用元器件可靠度的乘积。
& h5 e( D* E3 b设元件的可靠度为0.9,则2个串联为0.81,3个串联为0.729;设元件的可靠度为99.5%,则40个串联为83%,100个串联为60%。
3 r+ ]" J/ z! a/ ~: [若30万个元件组成系统,为确保系统可靠度为95%,要求每个元件的可靠度为99.9999%以上。现代化的复杂系统的电子元器件数量一般在上百万、上千万,对元器件可靠性要求更高。 " B* m9 [' H- J9 y* o
(2)电子设备的使用环境日益严酷 8 i! k. i$ L+ h1 U7 \- m& ]
电子设备的使用地域从实验室到野外,从陆地到深海,从高空到宇宙空间,还有使用在热带、寒带、赤道、南北极(南极站)等地的。
/ u# O& T' D' g- s: f各种不同地方的电子设备经受不同的环境条件。在坑道内,地温为一5~35℃;用于坦克中,要经受高温和振动;用于海上舰艇,要经受海水、盐雾、浪潮冲击等;用于宇宙空间,会受到宇宙粒子的辐射和振动加速度。 ; ^) q6 q2 E4 \6 D3 r; y* `$ P- C5 V1 L5 K
一般说来,使用条件越严酷,产品失效的可能性就越大,所以对可靠性要求就越高。
3 ?/ B( q2 \ ]; o5 I3 `5 _) B" m1 H(3)电子产品的装置密度在不断增长
2 F, d, M: H2 m# a$ p4 v集成电路由SSI经MSI发展到LSI,VLSI,ULSI,装置密度不断增高,因而集成电路内部的环境温度上升,所以对可靠性的要求也不断提高。为此各国都建立了许多机构,研究提高器件的可靠性问题。 $ M! d, G0 Q5 {6 W
所谓可靠性是指半导体集成电路在一定的工作条件下(指一定的温度、湿度、机械振动、电压等)在一定的时间内能完成规定作用的几率。集成电路的可靠性通常用失效率来量度。2 ]; _ }- Q2 U x4 j
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1非特表示10亿个产品在1小时内只允许有一个产品失效,或者说在1千小时内只允许有百万分之一的失效率.
! Y( S' ^$ ?# ~通过对集成电路失效过程的分析,了解到早期失效阶段对集成电路的平均寿命影响很大,而早期失效主要是半导体集成电路有缺陷。如果通过短时间的筛选试验把有缺陷的集成电路淘汰掉,那么筛选后的集成电路就有更高的可靠性,所以筛选是提高集成电路可靠性的一个有效措施。 ) I3 n+ H& m: J
实际上,这个说法不十分确切,因为筛选只是去掉早期失效的电路,并不能从根本上提高这批电路的可靠性水平,实际上可靠性是产品所固有的,即这批电路的可靠性水平在
7 K6 z9 m( c) l4 F* N% ^! s& }电路制造出来时已决定了。只有用最佳的电路版图设计,最好的工艺质量控制,才能制造出最可靠的电路来。其中设计奠定了可靠性的基础,而工艺则是保证。因此,应从设计和工艺两方面着手来提高电路的固有可靠性。下面着重介绍设计中提高可靠性的一些考虑(包括电路设计、版图设计和工艺设计三方面),而保证工艺质量控制的最有效的办法,是采用微电子测试图形技术
, B3 |' K( d/ Y2 {/ I0 p; nIC的奇怪ESD试验现象8 z' L: x9 e8 r" ~. u
* p$ i' e3 c) w
' Z( X3 z+ k7 S5 `* [0 M对某IC进行ESD试验,发现可重复的现象。
( T0 }$ u/ J! d! ~8 z$ r- I) |芯片不同组电源地Vss1、Vss2之间,相互ZAP,当:
0 |% i- D; b+ Z( k1 _: ^A、 Vss1 ZAP Vss2 +2000V Failure;# J. w. b- O2 Z; T4 T$ y2 Z
B、 Vss1 ZAP Vss2 -2000V Pass;
7 O2 l4 f$ O! ?; lC、 Vss2 ZAP Vss1 +2000V Failure;% J+ b* G; v8 G, `+ d" E/ ]. F+ r
D、 Vss2 ZAP Vss1 -2000V Pass。/ ~" w, V Z$ {6 Z1 o1 o! d
分析发现:5 o( ^, ^; g! B) j8 {
抗ESD能力与所加的电压极性有关可以理解,但不可思议的与接地(ESD试验设备的地)位置有关,A和B时Vss2接地,C和D时Vss1接地。A、D是同一个泄放回路,B、C也是同一个泄放回路,而且泄放方向也相同,为什么结果不同?% S9 G5 R7 e& @% ?
请高人指点。 |
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