求助(IEC 60335-1 １９章电子失效的实际操作方法)

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如何对MOS 做IEC 60335-1 A2 cl 19.11.2 g)的测试？
/ H' z7 R0 H9 H4 w: T+ h
: c) C5 L. R* b7 U6 N# t) E
3 H, V; F2 @( J( Z* G/ r节示标准如下：

19.11.2 g) failure of an electronic power switching device in a partial turn-on mode with loss of gate (base) control. During this test, winding temperatures shall no exceed the values give in 19.7.
. n4 e$ F! i# h* K
NOTE 3 This mode may be simulated by disconnecting the electronic power switching device gate (base) terminal and connecting an external adjustable power supply between the gate (base ) terminal and the source (emitter) terminal of the electronic power switching device. The power supply is then varied so as to achieve a current that will not damage the electronic power switching device but give the most onerous conditions of test.
4 Z, E* ^/ a" I: S1 e/ A' i
! A- v/ Z- Z# ^5 m

/ q( v, }6 w. x" D9 q  b3 }) d标准的意思:
$ A- o. _1 a3 R& ]9 b$ O
% b; E; {! ^5 H& q将MOS管的栅级断开再外加电源为MOS管供电，目的是要模拟出既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况。标准上只是说了个原则上是：既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况.
8 x% j. B( \* {% q; x7 J
& E( Q7 p3 w) X& }0 i但是实际操作比较困难!
3 B- q- M6 u) E& F! p) L
# R  Y- g' o+ {那位大佬有没有比较好的办法分享一下?　谢谢!