求助(IEC 60335-1 １９章电子失效的实际操作方法)

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如何对MOS 做IEC 60335-1 A2 cl 19.11.2 g)的测试？
' {" Z5 R9 }- j3 ~5 W) e% V& Y& }

节示标准如下：

+ D+ k) t: U5 i7 Q5 w$ L/ {19.11.2 g) failure of an electronic power switching device in a partial turn-on mode with loss of gate (base) control. During this test, winding temperatures shall no exceed the values give in 19.7.

0 T; B* |% `1 B3 MNOTE 3 This mode may be simulated by disconnecting the electronic power switching device gate (base) terminal and connecting an external adjustable power supply between the gate (base ) terminal and the source (emitter) terminal of the electronic power switching device. The power supply is then varied so as to achieve a current that will not damage the electronic power switching device but give the most onerous conditions of test.

, m  l' f8 P, T
/ }' p- {$ H" ]- i) d) S
9 t/ q6 _/ I( R$ h0 J& ^标准的意思:
# m9 B$ N9 l+ Y! x) f5 y; O1 v4 ^
将MOS管的栅级断开再外加电源为MOS管供电，目的是要模拟出既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况。标准上只是说了个原则上是：既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况.

2 o/ r( ^8 e! V$ q& R: T4 L- D4 o但是实际操作比较困难!

那位大佬有没有比较好的办法分享一下?　谢谢!